Makalah disajikan pada Pemilihan Dosen Berprestasi Tingkat Nasional (Hotel Menara Peninsula Jakarta, 14-18 Agustus 2011)
Pengembangan
Material dan Devais MOS Silikon serta Penggunaannya di Indonesia: Sejumlah
Inovasi
Makalah Ilmiah untuk disajikan pada
Pemilihan Dosen Berprestasi Tingkat Nasional
di Jakarta, 14-18 Agustus 2011
Khairurrijal
Kelompok Keahlian Fisika Material Elektronik
Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam
Institut Teknologi Bandung
Institut Teknologi Bandung
Jalan Ganesa 10, Bandung 40132
E-mail: krijal@fi.itb.ac.id
Abstrak
Riset
material dan transistor MOS (metal-oxide-semiconductor)
silikon, yang sangat penting bagi mikroprosesor dan memori, bergerak sangat
cepat guna memenuhi keperluan industri komputer global. Kinerja mikroprosesor
dan memori, yang meliputi kerapatan dan kecepatan, terus meningkat disebabkan
oleh miniaturisasi transistor MOS silikon tersebut. Sebagai akibatnya,
mikroprosesor dan memori atau komputer secara keseluruhan semakin berharga
murah. Salah satu masalah global dalam riset material dan transistor MOS
silikon tersebut adalah arus bocor yang melalui oksida gerbang dari transistor
MOS tersebut. Karena keterbatasan perlengkapan eksperimen dan peralatan
karakterisasi, darma penelitian dari Tri Darma Perguruan Tinggi dilakukan
dengan cara membuat inovasi-inovasi dalam pemodelan arus bocor baik yang
melalui oksida gerbang SiO2 maupun oksida gerbang dielektrik K
tinggi. Untuk tetap dapat melakukan eksperimen meskipun dengan banyak
keterbatasan, sistem sintesis lapisan tipis dengan teknik sputtering dan pulsed-laser
ablation deposition (PLAD) telah dibangun sendiri. Devais MOS silikon telah
berhasil dibuat meskipun dengan kualitas masih di bawah yang dibuat oleh
universitas di negara maju. Harapannya, suatu saat nanti, bila keterbatasan
tersebut sudah tidak ada, maka kami dapat langsung mencapai kualitas hasil yang
setara dengan yang dibuat oleh universitas di negara maju. Inovasi-inovasi
dalam pemodelan tersebut telah dapat berkontribusi global karena diterbitkan di
jurnal-jurnal internasional dan menjadi acuan para peneliti di seluruh dunia.
Mikroprosesor
dan memori berbasis transistor MOS silikon tersebut telah juga dimanfaatkan
untuk membuat mikrokontroler komersial. Mikrokontroler-mikrokontroler komersial
tersebut digunakan untuk memecahkan masalah-masalah lokal yaitu kekurangan
bahkan ketiadaan kit-kit dan modul-modul praktikum untuk membantu pembelajaran
mahasiswa serta alat-alat karakterisasi yang sangat diperlukan para peneliti di
universitas maupun lembaga penelitian. Darma pendidikan dan darma pengabdian
kepada masyarakat dijalankan dengan usaha-usaha memecahkan masalah-masalah
tersebut sehingga Tri Darma dilaksanakan dengan paripurna. Di dalam darma
pendidikan, telah dihasilkan dan digunakan modul pembelajaran karakteristik
dioda dan resistor dengan resistansi sangat tinggi, kit sistem pengukuran, kit
praktikum spektroskopi, dan kit praktikum kontrol. Di dalam darma pengabdian
kepada masyarakat, telah dihasilkan I-V Meter, C-V Meter, dan P-E Meter.
Meskipun berawal dari masalah-masalah lokal, inovasi-inovasi yang disematkan
dalam kit-kit serta alat-alat karakterisasi tersebut dapat menembus
jurnal-jurnal internasional.
Miniaturisasi
transistor MOS terus berlanjut dan inovasi-inovasi yag dilakukan mengarah ke
transistor NWFET (nanowire field-effect
transistor). Di dalam transistor NWFET tersebut, inovasi-inovasi tersebut
meliputi rekayasa geometri kanal dari planar menjadi nanokawat dan rekayasa
material dari silikon menjadi silikon-germanium atau GaN atau InAs.
Inovasi-inovasi dalam pemodelan arus bocor yang kami telah kembangkan
sebelumnya sangat mungkin diterapkan pada transistor NWFET tersebut.
Selanjutnya, pembuatan kit-kit atau modul-modul praktikum dan alat-alat
karakterisasi masih akan tetap dilanjutkan. Dengan usaha-usaha tersebut, kami
berharap Tri Darma dapat terlaksana dengan paripurna. Inovasi-inovasi yang ada
di dialam usaha-usaha tersebut diharapkan dapat diterbitkan di jurnal-jurnal
internasional.
1. PENDAHULUAN
Kehidupan moderen sekarang ini sangat bergantung pada produk-produk elektronik yang mengandung mikroprosesor dan memori. Pendapatan dari pengapalan mikroprosesor setiap tahun terus meningkat guna memenuhi keperluan industri komputer global. Pada tahun 2010, pendapatan tersebut telah
menjadi 36,3 milyar dolar
dengan komposisi 80,7%
Intel, 19% AMD, dan 0,3% Via Technologies [Eweek Europe, 2011]. Bahkan perusahaan riset pasar International Data Corp. (IDC) memperkirakan bahwa pendapatan tahun 2011 akan terus tumbuh menjadi 43 milyar dolar [EE Times,
2011].
Di dalam mikroprosesor dan memori tersebut terdapat rangkaian
terpadu atau integrated circuit (IC).
Devais aktif utama yang ada di dalam IC tersebut adalah metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET) silikon,
atau dikenal sebagai transistor MOS silikon, yang bekerja sebagai sebuah saklar
kecil. Digit biner (binary digit=bit)
0 dan 1 diwakili oleh transistor MOS dalam keadaan off atau on, secara
berurutan. Untuk menambah jumlah transistor MOS yang ada pada chip tunggal
silikon tanpa memengaruhi harga pembuatan chip tersebut sehingga harga per
transistornya lebih murah, maka transistor tersebut harus dibuat lebih kecil. Miniaturisasi
tersebut juga menyebabkan waktu penyaklarannya berkurang sehingga laju keluaran fungsional IC meningkat. Keuntungan lainnya adalah reduksi
konsumsi daya yang sangat bermanfaat untuk memperpanjang
umur baterai bagi sistem-sistem portabel.
Miniaturisasi transistor MOS tersebut mengikuti hukum Moore
yang menyatakan bahwa jumlah transistor dan kecepatan per IC komputer berlipat
dua setiap 24 bulan [Moore, 1965]. Berdasarkan capaian industri semikonduktor
pada tahun-tahun berikutnya, hukum Moore kemudian direvisi menjadi berlipat dua
setiap 18 bulan. Sekarang panjang transistor MOS tersebut telah tereduksi kurang
dari 100 nm sehingga kadangkala disebut sebagai transistor nanoMOS silikon. Untuk
tetap melanjutkan proses miniaturisasi tersebut, sebuah peta jalan teknologi
transistor MOS silikon telah dibuat [ITRS, 2009]. Peta jalan ini
mengidentifikasi jalan-jalan yang mungkin dari evolusi mikroelektronika
berbasis transistor MOS silikon tersebut sehingga transistor tersebut berukuran
semakin kecil, semakin cepat, dan semakin rendah dayanya. Setelah 40 tahun,
jumlah transistor MOS silikon di mikroprosesor dan memori meningkat
eksponensial menjadi sejuta kali dan empat juta kali lipat, secara berurutan,
dibandingkan pada tahun 1970. Riset
tentang transistor nanoMOS silikon terus berjalan dan produk komersialnya telah
kita nikmati. Tahun 2004, pertama kali Intel merilis mikroprosesor Pentium 4 dengan
transistor nanoMOS 90 nm, kemudian Core 2 Duo 45 nm pada tahun 2007, dan Core
i7 32 nm pada tahun 2010.
Makalah ini akan memaparkan sejumlah inovasi yang kami
lakukan untuk mengembangkan material dan devais MOS silikon serta penggunaannya
di Indonesia dalam rangka
melaksanakan Tri Darma Perguruan Tinggi dengan paripurna.
2. TUJUAN
Di sini akan dilaporkan serangkaian riset untuk mengembangkan
material dan devais MOS silikon serta penggunaannya di Indonesia dengan berbagai
keterbatasan-keterbatasan yang ada. Keterbatasan-keterbatasan tersebut telah
menjadi pemicu bagi kami untuk menghasilkan solusi-solusi kreatif dan inovatif bagi
kemandirian bangsa dan keparipurnaan pelaksanaan Tri Darma Perguruan Tinggi. Luaran-luaran
riset tersebut tidak hanya menjangkau ke langit untuk berkontribusi global,
tetapi juga menghunjam ke bumi untuk berkontribusi lokal Indonesia.
Dalam menjalankan darma penelitian dari Tri Darma tersebut,
riset difokuskan pada transistor MOS silikon dan miniaturisasinya meskipun
tidak memiliki peralatan sintesis dan alat karakterisasi yang canggih seperti
di negara-negara maju. Luaran-luaran riset ini, yang berupa berbagai inovasi model
yang dituangkan ke dalam makalah-makalah di jurnal internasional, diharapkan menjangkau
ke langit untuk berkontribusi global. Sedangkan yang menghunjam ke bumi untuk berkontribusi
lokal, riset diarahkan pada penerapan IC dan mikroprosesor/mikrokontroler komersial
yang berisi transistor-transistor MOS untuk menjalankan darma pendidikan dan
pengabdian kepada masyarakat. Di dalam darma pendidikan/pembelajaran, luaran-luaran
risetnya berupa prototip kit-kit atau modul-modul pembelajaran laboratorium yang
murah untuk memperkuat penjelasan pokok-pokok bahasan di dalam kelas. Luaran-luaran
riset di dalam darma
pengabdian kepada masyarakat adalah prototip berbagai sistem karakterisasi murah yang sangat diperlukan para peneliti material di seluruh Indonesia. Berbagai
inovasi di dalam darma pendidikan dan darma pengabdian kepada masyarakat kemudian
disebarkan ke masyarakat global melalui makalah-makalah yang diterbitkan di
jurnal-jurnal internasional.
3. LANDASAN TEORI
Terkait dengan pengembangan material dan devais MOS silikon
serta penggunaannya, ada permasalahan-permasalahan yang dihadapi global (dunia)
dan lokal (Indonesia). Salah satu permasalahan global adalah arus bocor yang
melalui lapisan oksida dari transistor MOS silikon. Di sisi lain, permasalahan
lokal yang ada di Indonesia adalah kekurangan atau bahkan ketiadaan kit/modul
praktikum yang menunjang pembelajaran di kelas dan alat-alat karakterisasi yang
sangat diperlukan para peneliti material di institusi-institusi pendidikan dan
penelitian Indonesia.
3.1. Pemodelan Arus Bocor dalam Transistor MOS Silikon: Masalah
Global
Di
bawah teori skala umum dari Baccarani [Baccarani, dkk., 1984] seperti dilukiskan dalam Gambar 1, seluruh dimensi transistor MOS silikon menyusut termasuk panjang gerbang
(L), tebal
oksida gerbang (Tox), dan kedalaman
sambungan (xj) [Davari, dkk., 1995; Frank, dkk., 2001; Frank & Taur, 2002; Taur, dkk., 1997; Wind, dkk.,
1996; Wong, dkk.,
1999].
Gambar 1. Miniaturisasi transistor MOS dengan skala penciutan l dan reduksi tegangan k. Tegangan di gerbang dan drain adalah VG
dan VDD, secara berurutan.
Ketika
pertama kali diterapkan, teori
skala umum tersebut sukses mewujudkan transistor MOS submikrometer
dengan panjang kanal 0,25
mikrometer dari kanal sebelumnya 1 mikrometer [Baccarani,
dkk., 1984]. Miniaturisasi transistor MOS submikrometer
tersebut terus berlangsung dan telah menjadi transistor nanoMOS silikon
dengan beberapa batasan
dan isu teknologi transistor nanoMOS berikut ini: [Hori, 1997; Taur, dkk.,
1997]
a)
Efek
kanal pendek
Efek kanal
pendek adalah penurunan tegangan ambang
(threshold voltage) di transistor
MOS silikon kanal
pendek karena sharing muatan
elektrostatik dua dimensi antara daerah gerbang dan sumber-drain. Untuk menghindari efek kanal
pendek, tebal oksida gerbang dan lebar deplesi yang dikontrol gerbang di dalam
substrat silikon harus direduksi sebanding dengan panjang kanal.
b)
Efek
tebal lapisan inversi berhingga
Akibat reduksi tebal oksida gerbang kurang
dari 10 nm,
maka kapasitansi gerbang total lebih kecil dari kapasitansi oksidanya karena
nilai kapasitansi oksida hampir sama dengan nilai kapasitansi lapisan inversi.
Ini berakibat lebih lanjut pada penurunan transkonduktansi transistor tersebut.
c)
Kinerja
terbatas di bawah medan listrik tinggi
Karena tegangan panjar transistor tersebut tidak diskala
sebanding dengan panjang kanalnya, kuat medan listrik menjadi semakin tinggi
dengan pengecilan devais. Efek medan listik tinggi di dalam substrat silikon
meliputi efek kuantum atas tegangan ambang (threshold
voltage), efek terobosan pita ke pita (band
to band tunneling) yang menyebabkan arus bocor drain yang diinduksi gerbang
(gate-induced drain leakage current),
degradasi mobilitas, dan pembangkitan pembawa berenergi tinggi (hot carrier).
d)
Reliabilitas
oksida gerbang.
Semua batasan dan isu tersebut berpangkal dari lapisan
oksida gerbang SiO2. Karena transistor nanoMOS tersebut berfungsi
sebagai saklar on-off, sangat penting
untuk mengetahui arus bocor yang melalui oksida gerbang tersebut ketika gerbang
(G) tetap diberi panjar sedangkan transistor tersebut dalam keadaan off (beda potensial antara drain (D) dan
sumber (S) sama dengan nol). Arus bocor ini sering juga disebut arus stand-by dan akan menghasilkan daya
disipasi dalam bentuk panas pada transistor tersebut meskipun transistor
tersebut sedang tidak bekerja.
Kondisi transistor nanoMOS dalam keadaan off namun gerbang (G) tetap diberi
panjar dapat direpresentasikan oleh sebuah kapasitor nanoMOS yang ditunjukkan
dalam Gambar 2(a). Layaknya sebuah kapasitor, elektroda M diberikan oleh
gerbang yang terbuat dari polikristal Si tipe n dengan dadah tinggi (n+
poli-Si), elektroda S diwakili oleh substrat Si tipe p (p-Si) berorientasi
(100), dan sebuah dielektrik SiO2. Dalam representasi diagram pita
energi sebagai fungsi ketebalan, kapasitor nanoMOS yang diberi panjar negatif
(-Vg) pada gerbang
tersebut menjadi Gambar 2(b). Lambang EC,
EV, dan EF adalah tepi pita konduksi,
tepi pita valensi, dan energi Fermi dari material terkait, secara berurutan.
Lapisan SiO2 dengan ketebalan Tox
menjadi potensial penghalang dengan ketinggian fe bagi elektron-elektron yang berada di gerbang. Adanya tegangan
panjar -Vg tersebut
membuat potensial penghalang tersebut membungkuk sebesar eVox.
Arus elektron, dengan rapat arus jz, kemudian mengalir dari gerbang melalui oksida
gerbang SiO2 dan tiba di substrat Si karena terobosan (tunneling) kuantum sehingga arus bocor
tersebut seringkali disebut sebagai arus terobosan kuantum. Bila tegangan
panjar –Vg sehingga eVox masih di atas EF, maka terobosan kuantum
tersebut dinamakan terobosan langsung (direct
tunneling). Dengan pemberian tegangan panjar yang berlebih, maka eVox menjadi di bawah EF dan terobosannya disebut
sebagai terobosan Fowler-Nordheim (Fowler-Nordheim
tunneling).
Gambar 2. Kapasitor nanoMOS. (a) tegangan panjar Vg negatif yang diterapkan kepada gerbang n+
poli-Si, (b) diagram pita energi akibat tegangan Vg.
Beberapa model arus terobosan telah dikembangkan sebelumnya [Nagano, dkk.,
1994; Schenk & Heiser, 1997; Yoshida, dkk.,
1995]. Namun tidak satupun yang
cukup baik menjelaskan arus bocor terukur yang melalui lapisan oksida gerbang
SiO2 apalagi meramalkan
arus bocor bila ketebalan oksida gerbang tersebut direduksi. Atas dasar itu, sebuah
model arus terobosan kuantum yang inovatif kemudian dibuat dengan menerapkan pendekatan Harrison-Bardeen [Harrison, 1961; Bardeen, 1961] dan tanpa
memerhatikan hukum kekekalan momentum [Weinberg, 1982] agar dapat menjelaskan arus bocor tersebut lebih baik
dari sebelumnya. Transmitansi
elektron melalui oksida gerbang SiO2
diberikan oleh Persamaan (1) [Khairurrijal,
dkk., 2000a; Khairurrijal, dkk., 2000b].
dengan h adalah
tetapan Planck tereduksi, mox
dan mz adalah massa
efektif elektron di dalam oksida gerbang dan di gerbang, secara berurutan, Tox adalah ketebalan oksida
gerbang, EF dan Ez adalah energi Fermi dan
energi elektron searah sumbu z, secara berurutan.
Rapat
arus terobosan kuantum kemudian dihitung menggunakan Persamaan (2) [Khairurrijal, dkk.,
2000a; Khairurrijal, dkk., 2000b].
Sayangnya, miniaturisasi transistor nanoMOS silikon, yang berarti reduksi
ketebalan oksida gerbang SiO2, meningkatkan arus bocor secara
eksponensial dan karena itu menaikkan daya disipasi keadaan off dari transistor tersebut.
Berdasarkan arus bocor yang diperkenankan agar daya disipasi tidak
berlebihan dan kehandalan (realibility)
oksida gerbang SiO2, ketebalan fisis oksida gerbang SiO2
terbatas hingga sekira 0,7 nm (sekira 4-5 lapis atom) dan tidak dapat dibuat lebih tipis lagi [Muller, dkk., 1999; Schulz, dkk., 1999]. Karena itu, oksida gerbang SiO2 harus
diganti dengan oksida gerbang lain
yang setara agar miniaturisasi
dapat terus berlanjut.
Perlu
dicatat bahwa kapasitansi diberikan oleh
C= e0KA/T.
Di sini, e0 adalah
permitivitas vakum, K adalah
tetapan dielektrik, A
adalah luas permukaan, dan T adalah ketebalan.
Penggantian oksida gerbang SiO2 dengan dielektrik alternatif
mempersyaratkan waktu tunda RC harus tetap sehingga kapasitansi harus juga
tetap. Jadi, CSiO2= Calt, dengan subskrip
SiO2 dan alt adalah untuk oksida gerbang SiO2 dan oksida
gerbang K tinggi, secara berurutan, sehingga TSiO2=(KSiO2/Kalt)Talt.
Ketebalan oksida gerbang dengan K
tinggi, Talt, tersebut disebut
setara dengan ketebalan oksida gerbang SiO2, TSiO2, dan karena itu dinamakan dengan ketebalan oksida setara (equivalent oxide thickness=EOT) yang
dapat dituliskan sebagai EOT=(3,9/Kalt)Talt,
dengan KSiO2= 3,9 untuk
oksida gerbang SiO2. Akhirnya, ketebalan fisis oksida
gerbang dengan K tinggi, Talt, yang lebih tinggi dari EOT SiO2 real mengakibatkan arus bocor menjadi lebih
rendah.
Selain itu, oksida gerbang pengganti SiO2 harus memiliki
kestabilan termal yang tinggi, alignment
pita energi yang baik dengan silikon (Si), dan keadaan antarmuka (interface states) yang rendah. Ada beberapa material dielektrik
yang memenuhi persyaratan tersebut. Di sisi lain, lapisan sangat tipis SiO2
mudah terbentuk di permukaan Si. Secara proses fabrikasi, lapisan sangat tipis
(sekira 0,5-1 nm)
SiO2 di atas Si tak dapat dihindari. Karena itu kapasitor nanoMOS
konvensional, yang merupakan sandwich M/SiO2/Si, berubah menjadi kapasitor nanoMOS
lanjut (advanced nanoMOS
capacitor) berupa sandwich M/(dielektrik K
tinggi/SiO2)/Si
yang lapisan oksidanya berupa tumpukan (stack)
dielektrik K tinggi dan SiO2
dan seringkali disebut singkat saja dengan tumpukan dielektrik K tinggi (high K dieletric stack).
Beberapa
tahun lalu, sejumlah material dielektrik K tinggi seperti ZrO2, Ta2O5,
La2O3, Al2O3, HfO2, Y2O3,
TiO2, SrTiO3, Lu2O3 telah dikaji
untuk menggantikan oksida gerbang SiO2 [Copel, dkk., 2000; Ferrari, dkk.,
2007; Green, dkk., 2001; Wilk, dkk., 2001]. Oksida-oksida berbasis hafnium (Hf) menunjukkan kandidat
yang potensial di antara berbagai material alternatif disebabkan sifat
dielektrik dan stabilitas termal yang baik di atas Si
[Gusev, dkk., 2003; Kim, dkk., 2005]. Dibandingkan
dengan HfO2, Hf-silikat dan paduan nitridanya memiliki tetapan
dielektrik K moderat sekitar 8-15, yang bergantung pada kandungan Hf, tetapi
memiliki stabilitas termal lebih tinggi, karakteristik arus bocor lebih baik,
ketakstabilan ambang yang terperbaiki, dan degradasi mobilitas lebih rendah
[Chowdhury & Misra, 2007]. Karena
alasan-alasan itulah, silikat-silikat berbasis Hf lebih diharapkan untuk
menggantikan oksida gerbang SiO2.
Akhirnya,
di tahun 2007, perusahaan Intel merilis untuk pertama kali prosesor Intel®
CoreTM2 Duo yang menggunakan technology node (jarak antara ujung sumber dan ujung drain) 45 nm [Intel, 2011]. Transistor
nanoMOS di dalam mikroprosesor tersebut menggunakan lapisan oksida gerbang
berbasis Hf dengan panjang gerbang sekira 20-30 nm. Namun demikian,
arus bocor yang melewati oksida gerbang dielektrik K-tinggi tersebut masih
belum dapat dijelaskan dengan baik oleh model-model sebelumnya [Mizubayashi, dkk., 2004; Vexler, dkk., 2009].
Berbasis
model arus terobosan sebelumnya [Khairurrijal,
dkk., 2000a; Khairurrijal, dkk., 2000b] dan memasukkan inovasi yang mempertimbangkan kopling
energi transversal dan longitudinal serta massa anisotropik, model arus
terobosan baru yang lebih baik untuk menjelaskan arus bocor yang melalui oksida
gerbang dielektrik K-tinggi [Khairurrijal, dkk.,
2008; Khairurrijal, dkk., 2009].
3.2. Ketiadaan
Kit/Modul Praktikum dan Alat Karakterisasi: Masalah Lokal
Salah
satu masalah umum di institusi pendidikan di Indonesia adalah keterbatasan
bahkan ketiadaan alat-alat dan modul-modul praktikum yang membantu pengajaran
konsep-konsep di kelas. Para mahasiswa diharapkan dapat mempelajari
konsep-konsep tersebut dengan mudah melalui
praktikum-praktikum terkait dan karena itu mereka dapat lebih menyerap
konsep-konsep tersebut. Ini sesuai dengan hasil riset yang mendapati bahwa para
mahasiswa menyerap hanya 25% dari apa yang mereka dengar, 45% dari apa yang
mereka dengar dan lihat, dan 70% jika mereka menggunakan metoda belajar sambil
berbuat (learning-by-doing) [Rickel, 1989].
Di
matakuliah Elektronika, yang merupakan salah satu matakuliah wajib program sarjana,
Program Studi Fisika, Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam (FMIPA),
Institut Teknologi Bandung (ITB), ada sebuah pokok bahasan tentang
karakteristik dioda. Beberapa contoh pertanyaan yang muncul dalam pengajaran di
kelas adalah sebagai berikut. Pertama, berapa arus bocor dioda ketika ia diberi
tegangan panjar mundur? Pengajar mengatakan bahwa arus bocor tersebut kecil
sekali dan hampir sama dengan nol. Kedua, berapa tegangan Zener dari sebuah
dioda Zener? Pengajar mengatakan bahwa tegangan Zener dapat dilihat dari kode
yang tertera di badan dioda tersebut. Ketiga, berapa tegangan panjar maju LED
saat pertama ia menyala? Pengajar mengatakan bahwa tegangan panjar tersebut dapat
diterka dari warna yang dipancarkannya. Terakhir, berapa nilai hambatan suatu
resistor bernilai sangat tinggi di atas 100 megaohm? Pengajar mengatakan bahwa
ohmmeter biasa tidak dapat digunakan. Dengan programmable voltage source dan programmable
electrometer yang tersedia komersial [Agilent, 2009; Keithley, 1984],
seluruh pertanyaan mahasiswa tersebut dapat dijawab. Sayang sekali harga alat
tersebut cukup mahal sehingga tak dapat dibeli untuk keperluan praktikum
mahasiswa.
Di
mata kuliah wajib Sistem Instrumentasi untuk mahasiswa program sarjana, Program
Studi Fisika, FMIPA, ITB, ada pokok bahasan tentang sistem pengukuran. Praktikum
yang membantu penjelasan teoretik sistem pengukuran tidak ada karena ketiadaan
kit dan modul praktikumnya. Seandainya ada kemampuan finansial, kit untuk
praktikum tersebut dapat dibeli dari perusahaan penyedia alat-alat pendidikan terkenal
[Festo, 2011; Leybold, 2011]. Karena ketakmampuan
finansial, kit yang cukup mahal tersebut tidak dapat dibeli.
Matakuliah
wajib Eksperimen Fisika, untuk mahasiswa program sarjana, Program Studi Fisika,
FMIPA, ITB, berisi sebuah pokok bahasan tentang spektroskopi. Hands-on experiment sangat bermanfaat
untuk membantu pemahaman teori yang diajarkan di kelas. Spektrofotometer dari
perusahaan penyedia alat-alat pendidikan terkenal [Festo, 2011; Leybold, 2011] tidak dapat dibeli
karena ketakmampuan finansial.
Matakuliah
pilihan Kapita Selekta Instrumentasi, untuk mahasiswa program sarjana, Program
Studi Fisika, FMIPA, ITB, memiliki sebuah pokok bahasan tentang kontrol yang
sangat penting tidak hanya di bidang teknik tetapi juga fisika [Bechhoefer,
2005]. Untuk meningkatkan pemahaman teori yang diberikan di kelas, hands-on experiment juga sangat diperlukan.
Sekali lagi karena ketakmampuan finansial, kit untuk pembelajaran kontrol dari perusahaan
penyedia alat-alat pendidikan terkenal [Festo, 2011; Leybold, 2011] tidak dapat
dibeli.
Diyakini
masih banyak lagi pokok-pokok bahasan di berbagai matakuliah yang diberikan di
universitas-universitas di Indonesia belum memiliki kit-kit dan modul-modul
praktikum untuk mendukung perkuliahan di kelas. Keterbatasan finansial menjadi
penghambat untuk memiliki kit dan modul praktikum yang sangat penting untuk
membantu mahasiswa menyerap lebih banyak pengetahuan yang diajarkan di kelas.
Karena itu, sejumlah inovasi harus dilakukan agar dapat dihasilkan alat-alat
dan modul-modul praktikum yang murah sehingga terjangkau oleh kemampuan
finansial universitas-universitas tersebut.
Selanjutnya,
banyak institusi pendidikan dan penelitian di Indonesia tidak memiliki peralatan
karakterisasi material yang diperlukan seperti I-V Meter, C-V Meter, dan P-E
Meter karena peralatan tsb cukup mahal bila dibeli dari perusahaan komersial. Sekali
lagi, berbagai inovasi harus dilakukan agar peralatan karakterisasi tersebut
murah sehingga penelitian material dapat tetap terus berjalan maju.
Kami
akan menggunakan IC dan mikroprosesor/mikrokontroler komersial berbasis devais
MOS tersebut untuk untuk melaksanakan darma pendidikan dan darma pengabdian
kepada masyarakat
4.
SEJUMLAH INOVASI UNTUK MENDAPATKAN
SOLUSI
Untuk mengembangkan material dan devais MOS silikon,
idealnya kajian-kajian teori dan eksperimen dilakukan semua. Karena
keterbatasan finansial, kajian-kajian eksperimen seperti di negara-negara maju
belum dapat dilakukan di Indonesia. Dengan kondisi Indonesia sekarang ini, yang
dapat dilaksanakan untuk berkontribusi global adalah melakukan sejumlah inovasi
dalam memodelkan arus bocor melalui oksida gerbang. Hal lain yang tetap harus
dilakukan adalah membangun sendiri sistem sintesis material dan devais MOS
meskipun masih di bawah standar negara-negara maju. Ini agar akumulasi
pengetahuan yang telah diperoleh tersebut dapat langsung/mudah menjalankan
sistem sintesis seperti negara maju sesaat setelah memiliki kemampuan finansial.
Di samping itu, penggunaan IC dan
mikroprosesor/mikrokontroler komersial berbasis transistor-transistor silikon
untuk membuat kit-kit atau modul-modul praktikum dan alat-alat karakterisasi
telah membantu penyelenggaraan pendidikan di universitas-universitas dan
pelaksanaan penelitian di institusi-institusi pendidikan dan penelitian, secara
berurutan, untuk menjadi lebih baik lagi.
Di sini akan diuraikan secara singkat 10 inovasi yang
kami telah lakukan dalam melaksanakan Tri Darma Perguruan Tinggi secara
paripurna dengan kontibusi baik lokal maupun global.
4.1.
Model Arus Bocor melalui Oksida Gerbang SiO2
Hasil
komputasi berdasarkan model inovatif yang telah dijelaskan sebelumnya dan
menggunakan Persamaan (2) diberikan dalam Gambar 3. Ditunjukkan bahwa rapat
arus terobosan langsung (direct tunneling)
yang diperoleh dari hasil komputasi sangat cocok dengan rapat arus bocor yang
diukur untuk lapisan
oksida gerbang SiO2 dengan ketebalan antara 3,90 hingga 1,65 nm. Fabrikasi devais kapasitor nanoMOS tersebut dan
pengukurannya dilakukan di Research
Center for Nanodevices and Systems (sekarang bernama Research Institute for Nanodevice and Bio Systems), Universitas
Hiroshima, Jepang. Model inovatif ini dapat meramalkan arus bocor yang melalui
oksida gerbang SiO2 yang lebih tipis dari 1,65 nm. Inovasi dalam
pemodelan tersebut telah dipublikasikan di jurnal internasional dan memiliki
sitasi lebih dari 80 [Khairurrijal, dkk,
2000a; Khairurrijal, dkk, 2000b].
Gambar 3. Rapat arus terobosan langsung sebagai fungsi tegangan oksida. Hasil
perhitungan cocok dengan data pengukuran untuk tebal oksida gerbang SiO2 1,65-3,90 nm.
Efek terobosan kuantum
seperti waktu terobosan serta dinamika paket gelombang
elektron melalui potensial penghalang oksida gerbang SiO2 juga telah
dikaji secara teoretik dan dipublikasikan di jurnal-jurnal
internasional dan nasional
[Khairurrijal, dkk., 2005; Hamida, dkk., 2006; Noor, dkk., 2007; Noor, dkk.,
2010c].
4.2.
Sintesis Dielektrik K-Tinggi Pengganti SiO2
Dibandingkan dengan fasilitas eksperimen untuk pembuatan kapasitor
nanoMOS silikon di
negara-negara maju, fasilitas yang ada di Kelompok Keahlian Fisika Material Nano dan
Elektronik, FMIPA ITB, masih sangat jauh dari memadai. Meskipun demikian,
sintesis lapisan tipis oksida gerbang K
tinggi di atas wafer silikon membentuk kapasitor MOS biasa beserta karakterisasinya masih dapat dilakukan dengan
berbagai keterbatasan. Lapisan tipis oksida gerbang dengan tetapan dielektrik
tinggi seperti CeO2 dan CeO2 didadah Nd telah diperoleh
dengan menggunakan teknik sputtering
dan pulsed-laser ablation deposition
(PLAD) yang dibangun sendiri (Gambar 4) dan dikarakterisasi struktur mikroskopik, kristalinitas,
dan sifat listriknya. Begitu juga dengan lapisan tipis oksida gerbang SrTiO3
dan SrTiO3 didadah Mn dengan menggunakan teknik PLAD.
Gambar 4. Sistem sintesis yang
dibangun sendiri. (Kiri) Sputtering dan (Kanan) Pulsed-laser ablation deposition (PLAD).
Inovasi-inovasi
dalam sintesis material tetapan dielektrik tinggi CeO2 dan SrTiO3
(Gambar 5) untuk membentuk devais MOS silikon biasa dengan fasilitas yang
dibangun sendiri tersebut telah dipresentasikan di seminar internasional dan
dipublikasikan di jurnal nasional [Darsikin,
dkk., 2004; Darsikin, dkk., 2005a; Darsikin, dkk., 2005b; Khairurrijal, dkk., 2004; Nurhasanah, dkk., 2005; Nurhasanah, dkk., 2006a; Nurhasanah, dkk., 2006b].
(a) (b)
Gambar 5. Citra SEM dari (a) Lapisan tipis CeO2 dan (b) lapisan tipis SrTiO3
di atas Si (100) yang disintesis dengan sistem sintesis yang dibangun sendiri.
4.3.
Model Arus Terobosan melalui Dielektrik K-Tinggi
Hasil komputasi berdasarkan model inovatif
yang mempertimbangkan
kopling energi transversal dan longitudinal serta massa anisotropik tersebut ditunjukkan dalam Gambar 6. Arus bocor yang diukur melalui lapisan tumpukan oksida gerbang HfSiOxN/SiO2
dengan ketebalan SiO2 0,5 nm dan HfSiOxN 2,5 dan 3,5 nm diperoleh dari Research
Institute for Nanodevice and Bio Systems, Universitas Hiroshima, Jepang. Didapatkan bahwa hasil komputasi sangat cocok dengan rapat arus bocor yang
diukur. Terlihat bahwa ada arus
elektron terjadi ketika tegangan oksida cukup tinggi di atas 0,5 V. Hasil lain
yang sangat penting adalah bahwa arus lubang (hole) sangat dominan ketika ketika tegangan oksida kurang dari 0,5
V.
Gambar 6. Rapat arus terobosan sebagai
fungsi tegangan oksida. Hasil perhitungan cocok dengan data pengukuran untuk
tumpukan oksida gerbang HfSiOxN/SiO2. Selain arus
elektron, ada juga arus lubang (hole)
pada tegangan oksida yang rendah.
Inovasi dalam pemodelan arus bocor melalui oksida gerbang
dielektrik K-tinggi telah mengantarkan penulis sebagai salah seorang pembicara
undangan pada konferensi internasional tahunan International Union of Materials Research Societies (IUMRS) di
Nagoya, Jepang, tahun 2008 [Khairurrijal, dkk.,
2008] dan 2nd International Conference on
Computation for Science and Technology di Nigde, Turki, tahun 2012
mendatang [Khairurrijal, dkk., 2012].
Inovasi tersebut juga telah dipublikasikan di jurnal-jurnal internasional
[Khairurrijal, dkk., 2009; Noor, dkk., 2010a; Noor, dkk., 2010b].
Gambar 7. Rapat arus terobosan sebagai
fungsi tegangan oksida untuk oksida gerbang SiO2 dengan ketebalan 1,65-3,90 nm. Hasil perhitungan
dengan model sekarang lebih mendekati data pengukuran.
Untuk membuktikan bahwa model arus
bocor melalui oksida gerbang dielektrik K-tinggi berlaku umum, model tersebut juga diterapkan untuk arus bocor
melalui oksida gerbang SiO2. Ditunjukkan di dalam Gambar 7 bahwa hasil
komputasi dengan menggunakan model tersebut lebih baik dibandingkan model yang dikembangkan
terdahulu [Noor, dkk., 2010c].
4.4. I-V Meter
Penelitian tentang teknologi vakum,
material, biologi hingga ruang angkasa sangat seringmenggunakan elektrometer yang dapat
mengukur arus sangat rendah dalam
jangkauan fA hingga mA [Acharya, 2006]. Khusus dalam penelitian material maupun devais, elektrometer digunakan untuk mengukur arus di
dalam devais dua elektroda seperti dioda, kapasitor
metal-insulator-metal (MIM), dan metal-semikonduktor-metal (MSM), serta devais aktif
tiga elektroda transistor
MOS [Chui, dkk.,
2006; Evangelou, dkk., 2007].
Berapa banyak elektrometer di perguruan tinggi dan lembaga penelitian di
Indonesia? Ternyata jumlahnya kurang dari
jumlah jari sebelah tangan. Ketika dulu melakukan penelitian di Kelompok Keahlian Fisika Material Elektronik, FMIPA
ITB, para mahasiswa pascasarjana dapat bebas menggunakan I-V Meter, yang
merupakan kombinasi Programmable
Electrometer dan Programmable Voltage
Source komersial milik ITB yang ada di FMIPA maupun di Pusat
Mikroelektronika. Namun setelah
pulang kembali ke perguruan tinggi asal, mereka tidak dapat lagi mengakses
dengan mudah I-V Meter tersebut.
Dengan hibah penelitian kompetitif saat ini, sangat sukar bagi bagi mereka
untuk memiliki I-V Meter tersebut. Banyak mantan
mahasiswa pascasarjana dari Kelompok
Keahlian Fisika Material Elektronik, FMIPA ITB yang telah kembali ke
perguruan tinggi asal mereka sangat ingin memiliki I-V Meter dengan harga
murah. Dengan hibah finansial dari
sekelompok alumni S1 Fisika FMIPA ITB angkatan 80an, kegiatan rancang bangun
I-V Meter dilakukan untuk menghasilkan prototip I-V Meter yang baik dan murah
sebagai bagian dari darma pengabdian kepada masyarakat. Metodologi penelitian
diterapkan agar mendapatkan kebaruan dalam rancang bangunnya sehingga diharapkan dapat dipublikasikan di jurnal
internasional.
Dari Gambar 8, cara kerja sistem I-V Meter adalah sebagai berikut. Pertama, mikrokontroler SoC 8051F006, yang berisi mikroprosesor dengan
transistor MOS, mengeluarkan bit-bit digital yang diubah
menjadi tegangan DC oleh pengubah digital ke analog (DAC/digital to analog converter) sehingga menjadi sumber tegangan
terprogram yang keluarannya diatur oleh mikrokontroler. Tegangan keluaran
tersebut diterapkan kepada devais uji dan arus mengalir di dalam devais uji
tersebut. Arus tersebut dibaca oleh elektrometer arus yang keluarannya berupa
tegangan, diubah menjadi digital oleh ADC (analog
to digital converter), dan kemudian diberikan ke mikrokontroler.
Dalam satu siklus ini mikrokontroler memiliki sepasang data yaitu tegangan
(V) yang diberikan ke devais uji dan arus (I) yang mengalir di dalam devais uji
tersebut. Siklus tersebut diulangi lagi untuk tegangan yang berbeda hingga
seluruh tegangan yang diinginkan selesai. Pasangan-pasangan data (V,I) tersebut
selanjutnya diolah oleh mikrokontroler dan dikirimkan ke komputer melalui
protokol komunikasi serial RS232 untuk disimpan atau diperagakan di display
dalam bentuk kurva I-V.
Gambar 8. Diagram blok sistem I-V Meter Made in ITB untuk menghasilkan kurva arus-tegangan dari sebuah devais uji.
Elektrometer digital dan sumber tegangan DC terprogram dari sistem I-V Meter Made in ITB tersebut
dikalibrasi dengan menggunakan Kalibrator
Fluke seri 5100B [Fluke, 1992]. Akhirnya, prototip
I-V Meter Made in ITB tersebut
selesai dibangun seperti diperlihatkan dalam Gambar 9. Selanjutnya devais uji
berupa dua jenis kapasitor MOS disiapkan. Kapasitor MOS pertama dibuat dari MOSFET komersial BS250 dengan
elektroda drain (D) dan sumber (S) digabung ke
tanah sehingga membentuk kapasitor MOS
dengan 2 elektroda. Kapasitor MOS lain difabrikasi di Laboratorium Oksida, KK Fisika
Material Elektronik, dengan urutan proses berikut: (a) penyiapan substrat Si,
(b) deposisi material oksida SrTiO3 pada substrat Si tersebut dengan
metoda deposisi sputtering, dan (c)
metalisasi pada oksida tersebut dengan metoda evaporasi [Darsikin, dkk., 2005a].
Evaluasi kinerja
atas I-V Meter Made in ITB tersebut dilakukan
dengan cara membandingkannya
dengan Programmable Electrometer
Keithley 617. Hasil pembandingan (benchmark)
ditunjukkan oleh kurva I-V dari dua kapasitor
MOS berbeda, yaitu kapasitor MOS
buatan sendiri (Al/SrTiO3/Si) dan kapasitor MOS dari MOSFET BS250
[Vishay, 2004]. Didapatkan bahwa kedua kurva I-V untuk kedua kapasitor MOS
tersebut berhimpit sempurna seperti diberikan dalam Gambar 10,
yang menyatakan bahwa kinerja I-V Meter Made in ITB tersebut sama dengan I-VMeter komersial Programmable Electrometer Keithley 617.
Gambar 10. Karakteristik I-V dari kapasitor MOS (a) Al/SrTiO3/Si dan (b)
MOSFET BS250, yang dihasilkan oleh I-V Meter Made in ITB dan Programmable
Electrometer Keithley 617.
Akhirnya, prototip I-V Meter murah Made
in ITB dengan kebaruan yang inheren di dalamnya menyebabkan deskripsi
rancang bangun serta pengujian alat ukur tersebut dapat dipublikasikan di
jurnal internasional [Khairurrijal, dkk.,
2007a].
Sekarang ini, I-V Meter Made in ITB tersebut
telah digandakan lebih dari 20 buah dan ada di 12 universitas yang tersebar di
Sumatera, Jawa, dan Sulawesi dan dapat dipandang sebagai usaha menjadi mandiri dan substitusi impor I-V
Meter komersial. Selain ada di Institut Teknologi Bandung, I-V Meter tersebut sekarang ada juga di Institut Pertanian
Bogor, Universitas Gadjah Mada, Universitas
Negeri Padang, Universitas
Sriwijaya, Universitas Pendidikan Indonesia, Universitas Islam Negeri Sunan Gunung Djati, Universitas Diponegoro, Universitas
Negeri Semarang, Universitas
Negeri Sebelas Maret, Universitas Negeri Makassar, dan Universitas Tadulako.
4.5. C-V Meter
Di samping I-V Meter, alat karakterisasi yang populer
untuk mengkaji material semikonduktor dan memantau fabrikasi devais
semikonduktor adalah C-V Meter. Dengan alat ini, muatan bergerak di dalam
oksida, cebakan-cebakan antarmuka, waktu hidup pembawa muatan minoritas, dan
profil dadah di silikon dapat diketahui dengan mudah [Schroder, 1990; Sze,
1981]. Alat ini pun lebih sedikit lagi jumlahnya di Indonesia dibanding I-V
Meter dan harganya cukup mahal sehingga tak mungkin dibeli dengan dana hibah
penelitian biasa yang ada sekarang. Karena
keprihatian tersebut, kegiatan rancang bangun C-V Meter dilakukan untuk
menghasilkan prototip C-V Meter yang baik dan murah sebagai bagian dari darma
pengabdian kepada masyarakat. Metodologi penelitian juga diterapkan agar
mendapatkan kebaruan dalam rancang bangunnya sehingga diharapkan dapat
dipublikasikan di jurnal internasional.
Diagram blok dari perangkat keras C-V Meter Made in ITB ditunjukkan dalam Gambar 11.
Ia terdiri dari (i) capacitance meter
dengan penguat muatan umpan balik dan rangkaian penguat mutlak, (ii) sumber
tegangan yang dibangkitkan oleh digital
to analog converter (DAC) dari SoC 8051F006, yang berisi mikroprosesor
dengan transistor-transistor MOS, dengan sumber tangga tegangan dan penguat
jumlah, (iii) komputer dengan komunikasi serial RS-232 dimana tegangan yang
diterapkan ke devais uji dan kapasitansinya yang dibaca oleh capacitance meter disimpan ke dalam
komputer via komunikasi serial RS-232 tersebut.
Gambar 11. Diagram blok sistem C-V Meter Made in ITB untuk menghasilkan kurva kapasitansi-tegangan dari sebuah devais uji.
Capacitance meter
dan sumber tegangan DC terprogram
dari sistem C-V Meter Made in
ITB tersebut dikalibrasi dengan
menggunakan Kalibrator Fluke
seri 5100B [Fluke, 1992]. Akhirnya,
prototip C-V Meter tersebut selesai dibangun dan selanjutnya devais uji berupa berbagai
kapasitor dan dioda disiapkan. Dengan menerapkan tangga tegangan 20 mV dan
waktu tunda 500 ms ke kapasitor 33 pF dan 1000 pF, kurva C-V diperoleh seperti
diberikan dalam Gambar 12. Karena kedua kapasitor tersebut adalah kapasitor
biasa yang kapasitansinya tak bergantung tegangan, maka Gambar 12 tersebut
menegaskan karakteristik tersebut. Variasi nilai kapasitansinya juga masih di
dalam batas toleransi yang diizinkan.
Gambar 13. Dioda penyearah 1N4002 yang dipanjar mundur dengan tangga tegangan 10 mV dan waktu tunda 1000 ms. (a) Kurva C-V dan (b) Plot 1/C2 vs V.
Karakteristik C-V dari dioda penyearah umum 1N4002 dengan
pemberian tegangan panjar mundur yang menerapkan tangga tegangan 10 mV dan
waktu tunda 1000 ms diperlihatkan dalam Gambar 13.(a). Kapasitansi dioda yang
terukur pada frekuensi sangat rendah berubah terhadap tegangan panjar
mundurnya. Plot 1/C2 terhadap tegangan seperti diberikan dalam Gambar 13.(b)
menyatakan bahwa dioda tersebut memiliki tipe sambungan abrupt [Sze, 1981].
Akhirnya,
prototip C-V Meter murah Made in ITB dengan
kebaruan yang inheren di dalamnya menyebabkan deskripsi rancang bangun serta
pengujian alat ukur tersebut dapat dipresentasikan di seminar internasional
[Rahmawati, dkk., 2009].
Penyempurnaan masih harus dilakukan agar hasil pengukuran dapat dibandingkan (benchmark) dengan C-V Meter komersial
dan kemudian inovasi tersebut dapat disebarkan melalui publikasi di jurnal
internasional.
4.6. P-E Meter
Material feroelektrik seperti timbal zirkonium titanat
(PZT) atau barium titanat adalah senyawa oksida kompleks dengan sifat-sifat
nonlinearits tinggi. Material tersebut memiliki histeresis polarisasi listrik
dan sensitivitas terhadap perubahan gaya, perpindahan, dan temperatur sehingga
bermanfaat sebagai material memori dan sensor. Di Indonesia, penelitian tentang
material feroelektrik cukup hangat terutama untuk digunakan sebagai sensor. Untuk
mengkaji material feroelektrik digunakan
P-E Meter, yang memberikan kurva antara polarisasi listrik (P) terhadap
medan listrik (E). Jumlah P-E Meter di Indonesia lebih sedikit dibanding I-V
Meter dan harganya juga cukup mahal sehingga tak mungkin dibeli dengan dana
hibah penelitian biasa yang ada sekarang.
Karena keprihatian tersebut, kegiatan rancang bangun P-E Meter dilakukan
dengan Hibah Riset ITB 2011 untuk menghasilkan prototip P-E Meter yang baik dan
murah sebagai bagian dari darma pengabdian kepada masyarakat. Dengan menerapkan
metodologi penelitian, kebaruan dalam rancang bangunnya akan diperoleh sehingga
diharapkan dapat dipublikasikan di jurnal internasional.
Diagram blok dari P-E Meter yang dirancang diberikan
dalam Gambar 14. Untuk mendapatkan kurva P-E, rangkaian Sawyer-Tower digunakan.
Sebuah sinyal, yang dibangkitkan oleh pembangkit sinyal (SG), diberikan ke
rangkaian akuisisi data yang terdiri dari analog
to digital converter (ADC), pencacah sinyal (counter), memori statik (SRAM), dan dikendalikan oleh SoC 8051F006
yang berisi mikproprosesor dengan transistor-transistor MOS. Data yang telah
diakuisisi tersebut kemudian dikirim melalui komunikasi serial RS-232 ke
komputer untuk ditampilkan di layar komputer dalam bentuk kurva P-E.
Gambar 14. Diagram blok P-E Meter Made
in ITB yang menggunakan rangkaian Sawyer-Tower untuk menghasilkan kurva
P-E.
Papan
rangkaian tercetak yang ditunjukkan dalam Gambar 15 dan Gambar 16 adalah
foto-foto sisi atas dan sisi bawah, secara berurutan, yang merupakan terjemahan
dari diagram blok dalam Gambar 14. Setiap bagian dari rangkaian tersebut kemudian
dikalibrasi dengan menggunakan Kalibrator
Fluke seri 5100B [Fluke, 1992] untuk
menjamin keakuratan pengukuran.
Gambar 15. Papan utama pandangan atas : (1) Catu daya; (2) Port masukan
ADC1 dan ADC 2; (3) IC Counter untuk pengalamatan pada SRAM; (4) Tegangan
keluaran menuju pengkondisi sinyal; (5) Port untuk mengunduh program
mikrokontroler; (6) DB9 komunikasi dengan computer
Gambar 16. Papan utama pandangan bawah : (1) Catu daya; (2) RS-232 (MAX232);
(3) ADC (AD7656); (4) SoC C8051F005; (5) SRAM
Gambar 17. Kurva P-V yang diperoleh dengan P-E Meter untuk sebuah sampel
material PZT dengan luas area 100.000 mikron2 dengan frekuensi 500
Hz. Sumbu datar seharusnya kuat medan listrik E, yang diperoleh dari tegangan V
dibagi tebal sampel material.
Hasil pengukuran sampel material PZT dengan luas 100.000
mikron2 memberikan kurva polarisasi listrik (P) terhadap tegangan
(V) seperti diberikan dalam Gambar 17. Sumbu datar seharusnya kuat medan
listrik E, yang diperoleh dari tegangan (V) dibagi tebal sampel tersebut.
Karena tebal sampel belum sempat diukur maka sumbu datar tetap dinyatakan dalam
V tanpa banyak memengaruhi hasil. Bentuk kurva P-V tersebut telah memenuhi
harapan sehingga kami yakin bahwa P-E Meter Made
in ITB yang baik dan murah akan segera terwujud. Setelah tebal sampel
tersebut diketahui, maka kurva P-E diperoleh dan akan dibandingkan (benchmark) dengan P-E Meter komersial
dari Radiant Technologies [Radiant, 2011]. Dengan kebaruan yang ada di dalam
rancangan P-E Meter Made in ITB tersebut
maka kami yakin inovasi tersebut dapat disebarkan melalui publikasi di jurnal
internasional.
4.7. Kit Praktikum Karakterisasi Dioda dan Resistor
dengan Resistansi Sangat Tinggi
Setelah
mengetahui teori tentang komponen elektronik seperti resistor, dioda silikon,
dan dioda Zener dari kuliah yang diberikan di kelas, para mahasiswa program
sarjana yang mengambil mata kuliah Elektronika di Program Studi Fisika, FMIPA
ITB, seyogianya diperkuat dengan praktikum di laboratorium.
Mereka
telah mengetahui ada resistansi yang sangat tinggi 100 MΩ ke atas, tetapi tidak mengetahui bagaimana cara mengukurnya.
Mereka juga telah diceritakan di dalam kelas bahwa ada arus saturasi yang
sangat rendah mendekati nol saat dioda diberi panjar mundur, namun tidak
mengetahui berapa besar sesungguhnya. Lebih dari itu, mereka juga
telah mengetahui tegangan Zener yang ada di dioda Zener hanya dari kode yang
tertera.
Karena potensi I-V Meter Made in ITB
tersebut, kegiatan merancang pembelajaran laboratorium yang dapat menjawab
ketidaktahuan para mahasiswa yang mengambil mata kuliah Elektronika tersebut dilakukan
sebagai bagian dari darma pendidikan/pembelajaran. Sekali lagi,
seperti pada kegiatan di darma pengabdian kepada masyarakat, metodologi
penelitian juga diterapkan di sini untuk mendapatkan teknologi pembelajaran
inovatif. Diharapkan deskripsi tentang teknologi pembelajaran
inovatif tersebut dapat juga diterbitkan di jurnal internasional.
Kurva karakteristik I-V untuk
resistor 99 MΩ ± 1% dari Ohmite Mfg. Co., dioda silikon 1N4002, dan dioda Zener silikon 1N5918 akan dihasilkan. Dengan menjadikan komponen elektronik sebagai devais uji
dan menerapkan tegangan dari sumber tegangan terprogram dari I-V Meter Made in ITB, arus
akan mengalir melalui devais uji tersebut dan electrometer digitalnya akan
mengukur arus tersebut. Pasangan tegangan yang diterapkan dan arus terukur
tersebut dikirim ke komputer.Perangkat lunak komputer kemudian memroses
pasangan data tersebut untuk menghasilkan kurva I-V.
Gambar 18 memberikan karakteristik listrik resistor 99 MΩ ± 1%
tersebut.Ditunjukkan
bahwa arus terukur lebih rendah dari 9x10-8ampereuntuk tegangan yang diterapkan kurang dari 9 volt.Juga
didapatkan bahwa kurva I-V tersebut diberikan oleh persamaan garis lurus I=10-8 V dengan koefisien regresi linear 0,9995. Karena itu resistansi terukurnya
adalah 100 MΩ, yang berada dalam jangkauan 99 MΩ ± 1%.
Kurva I-V dioda silikon 1N4002 yang diberi panjar mundur diperlihatkan
dalam Gambar 19. Arus saturasi sekarang terlihat dengan jelas dan semakin
membesar bila tegangan panjar mundurnya diperbesar. Pada tegangan mundur 9 V,
arus saturasinya sebesar -2×10-8 A dan dapat mencapai -5×10-6 A pada tegangan
mundur puncak 100 V [Won-Top, 2002].
Kurva I-V dioda Zener 1N5918 di bawah panjar mundur diberikan dalam Gambar 20.
Didapatkan bahwa tegangan Zenernya adalah 5,1 V. Diperoleh juga arus lutut (knee current) diode tersebut sekira 0,7×10-3
A. Kedua hasil
tersebut memberikan verifikasi atas spesifikasi yang tertulis di datasheet (tegangan Zener 5,1 V dan arus
lutut sebesar 1×10-3 A) [Microsemi,
2011].
Gambar 20. Kurva karakteristik dioda Zener 1N5918 dengan tegangan Zener 5,1 V di bawah panjar mundur.
Inovasi di dalam teknologi pembelajaran tersebut kemudian ditulis dan menghasilkan
publikasi di jurnal internasional [Khairurrijal, dkk.,
2006]. Modul praktikum akhirnya dibuat dan sekarang digunakan
sebagai bagian dari tidak hanya matakuliah
wajib Elektronika tetapi juga matakuliah
wajib Eksperimen
Fisika di Laboratorium Fisika Lanjut, Program Studi Fisika, FMIPA ITB. Modul
praktikum ini juga sangat menarik perhatian para kolega di Universitas
Pendidikan Indonesia untuk dikaji lebih mendalam.
4.8. Kit Praktikum Sistem Pengukuran
Untuk sistem pengukuran automatik, komputer diperlukan
agar automasi dapat berjalan. Komputer dalam bentuk yang sederhana adalah
komputer papan tunggal (KPT) yang diagram bloknya diberikan dalam Gambar 21.
Tampak depan dari papan rangkaian tercetaknya diperlihatkan dalam Gambar 22.
Sebagai jantung dari KPT yang telah dibuat adalah mikrokontroler
AT89S52 (kode 1 di dalam Gambar 22), yang berisi mikroprosesor dengan
transistor-transistor MOS, dengan periferal lainnya yang cukup lengkap seperti
saklar DIP (2), sebuah pushbutton (3), sebuah keypad (4), 8 light emitting diode (LED) (5), peraga 7-segment (6), sebuah liquidcrystal display (LCD) (7), sebuah analog to digital converter (ADC) (8), 2
potensiometer untuk catu tegangan ke ADC (9), konektor eksternal (10),
multiplekser analog (11), dan port komunikasi serial (12) serta parallel (13).
KPT tersebut kemudian
dimanfaatkan sebagai sebuah sistem pengukuran seperti diberikan dalam Gambar
23. Temperatur lingkungan dibaca oleh sensor temperatur dan kemudian diakuisisi
oleh KPT tersebut. Dengan menghubungkan
KPT tersebut ke program komersial LabView yang ada di komputer, maka
data hasil pengukuran temperatur sebagai fungsi waktu dapat diperagakan di
bawah LabView.
Gambar 23. Sistem instumentasi untuk pengukuran temperatur air. Kiri: alur
sistem pengukuran. Kanan: Sistem pengukuran temperatur. Temperatur sebagai
fungsi waktu diperagakan dengan menggunakan LabView.
Modul
pembelajaran ini digunakan di matakuliah wajib Sistem Instrumentasi, Program
Studi Fisika, FMIPA, ITB, dan inovasi ini kemudian disebarkan melalui publikasi
di jurnal internasional [Khairurrijal, dkk.,
2007b].
4.9. Kit Praktikum Spektroskopi
Sebuah spektrofotometer pada dasarnya terdiri dari sebuah
spektroskop dan sebuah perekam spektrum yang dihasilkan sepektroskop.
Spektrofotometer sederhana telah dirancang menggunakan spektroskop karton keras
(Gambar 24) dengan kisi yang dibuat dari potongan DVD (Gambar 25). Untuk
merekam spektrumnya, sebuah sensor CMOS yang tersemat pada setiap kamera
digital seperti diberikan dalam Gambar 26. Beberapa contoh spektrum yang
dihasilkan dari (a) Lampu Philips TLD10W/54, (b) Lampu lucutan cadmium, (c)
Lampu lucutan helium diperlihatkan dalam Gambar 27.
Gambar 24. (a) Diagram skematik dan (b) foto spektroskop yang dirancang.
Kisi (grating) ditempatkan pada
kedudukannya dan dilindungi oleh pelindung berbentuk untuk menghalangi cahaya
yang mengganggu.
Gambar 26. Spektrofotometer keseluruhan. Kamera digital yang menggunakan
sensor CMOS digunakan untuk merekam spektrum yang dihasilkan spektroskop
tersebut.
Gambar 27. Citra spektrum yang diambil dengan kamera digital Fujifilm A100
dengan ukuran citra 5 megapiksel: (a) Lampu Philips TLD10W/54, (b) Lampu
lucutan cadmium, (c) Lampu lucutan helium.
.
Untuk
mendapatkan spektrum yang lebih kuantitatif, kami juga telah membuat program
yang dijalankan di komputer untuk hal tersebut sehingga panjang gelombang dan
intensitas dari setiap spektrum dapat ditentukan.
Inovasi ini direncanakan akan digunakan untuk matakuliah
wajib Eksperimen Fisika, Program Studi Fisika, FMIPA, ITB dan telah
dipublikasikan di jurnal internasional baru-baru ini. [Widiatmoko, dkk., 2011].
4.10. Kit Praktikum Kontrol
Sebuah proses yang dikontrol oleh sistem kontrol lup
tertutup dilukiskan secara skematik oleh
Gambar 28. Sebuah masukan dan keluaran dari sistem kontrol lup tertutup
tersebut adalah set point r(t) dan
variabel proses y(t), secara berurutan. Nilai r(t) harus dicapai oleh y(t) yang
menjadi variabel untuk dikontrol. Kotak elemen pengukuran (measuring element) digunakan untuk mengukur variabel proses y(t)
dan keluaran dari kotak elemen pengukuran tersebut adalah z(t). Selisih antara
r(t) dan z(t), yang dinamakan galat e(t), diumpankan ke kotak pengontrol (controller) dengan sebuah aksi kontrol
untuk menghasilkan sinyal kontrol u(t). Akhirnya, sinyal kontrol tersebut
diberikan ke proses untuk memengaruhi keluaran proses y(t).
Gambar 29. (a) Diagram blok sistem kontrol temperatur berbasis
mikrokontroler PIC 16F877 dan (b) tampak depan sistem kontrol tersebut beserta
kotak termalnya.
Sistem kontrol tertutup tersebut diwujudkan dengan
membangun sebuah kotak termal sebagai proses dan pengontrol berbasis
mikrokontroler PIC 16F877 yang berisi mikroprosesor dengan
transistor-transistor MOS. Kotak termal tersebut sangat sederhana; ia terdiri
dari sebuah kotak plastik yang mengurung udara dan dilengkapi dengan kipas
kecil dan lampu sebagai pemanas. Untuk mengontrol temperatur udara di dalam
kotak termal tersebut digunakan dua aktuator dan sebuah sensor temperatur.
Kit ini
telah digunakan dalam pengajaran kontrol di matakuliah pilihan Kapita Selekta
Instrumentasi dan mendapat sambutan yang positif dari para mahasiswa. Inovasi
ini kemudian disebarkan melalui publikasi di jurnal internasional
[Khairurrijal, dkk., 2011].
5.
PERSPEKTIF MASA DEPAN TRANSISTOR NANOMOS
Para peneliti di seluruh dunia sedang
bekerja keras untuk terus menciutkan transistor nanoMOS sehingga semakin kecil,
murah, dan cepat serta melepaskan diri
dari masalah yang dihadapi dengan miniaturisasi tersebut. Puncaknya, di tahun 2007, transistor
nanoMOS dengan tumpukan SiO2/dielektrik K telah mereduksi harga
prosesor berkinerja tinggi dari Intel Corp.
Dapatkah transistor nanoMOS tersebut diciutkan lebih jauh
lagi? Tentu saja
mungkin hingga ukuran atom dan molekul yang merupakan batas fisik yang tak
dapat dilewati lagi. Namun demikian, miniaturisasi lebih lanjut
dengan tetap menjaga konsumsi daya sekarang mengarahkan
kita mencari geometri atau material alternatif untuk kanal transistor MOS [Ieong, dkk., 2004; Service, 2009].
5.1. Rekayasa Geometri Kanal Transistor
nanoMOS
Penanggulangan masalah efek kanal pendek
dilakukan dengan merekayasa geometri kanalnya. Salah satu geometri kanal yang
menjanjikan adalah nanokawat (nanowire)
silikon. Kanal transistor
nanoMOS konvensional yang berbentuk planar
(bidang) seperti dalam Gambar 30 digantikan dengan nanokawat. Transistor
nanoMOS dengan kanal berupa nanokawat semikonduktor tersebut dinamakan MOSFET
nanokawat (nanowire MOSFET= NW
MOSFET) atau sering disingkat saja sebagai FET nanokawat (nanowire FET=NW FET). Untuk kanal dengan nanokawat silikon (Si)
seringkali disingkat dengan SNW MOSFET/FET (silicon
nanowire MOSFET/FET) [Cui, dkk., 2003;
Duan, dkk., 2003; ITRS, 2009].
Tiga
konfigurasi dasar yang mungkin bagi SNW FET diberikan dalam Gambar 31 [Lu dan Lieber, 2008].
Gambar 31.(a) adalah SNW FET dengan gerbang di belakang (back gate) yang memiliki urutan komponen dari bawah ke atas:
gerbang (G), lapisan oksida planar, dan nanokawat silikon (Si). Dengan
memberikan elektroda sumber (S) dan drain (D) di kedua ujung nanokawat Si
tersebut, maka nanokawat Si tersebut berfungsi sebagai kanal. SNW FET dengan
gerbang atas setengah silinder (semicylindrical
top gate) seperti ditunjukkan dalam Gambar 31.(b) memiliki urutan komponen
dari bawah ke atas: lapisan oksida planar, nanokawat Si, lapisan oksida yang
menyelimuti setengah lingkaran nanokawat Si tersebut, dan lapisan elektroda
gerbang (G) setengah lingkaran yang menyelimuti lapisan oksida setengah
lingkaran tersebut. Elektroda sumber (S) dan elektroda drain (D) diberikan di
kedua ujung kanal nanokawat Si tersebut. Yang terakhir, Gambar 31.(c) adalah
SNW FET dengan gerbang atas silinder penuh (cylindrical
gate-all-around). Strukturnya sama dengan yang diberikan dalam Gambar
31.(b) hanya saja lapisan oksida dan gerbangnya menyelimuti lingkaran penuh
nanokawat Si tersebut.
Gambar 31. Skema SNW FET dengan beberapa konfigurasi. (a) gerbang belakang
(back gate), (b) gerbang atas setengah
silinder (semicylindrical top gate),
dan (c) gerbang silinder penuh (cylindrical
gate-all-around) [Lu dan Lieber, 2008].
Di samping nanokawat Si yang rebah di
atas suatu bidang seperti dijelaskan sebelumnya, nanokawat Si dapat juga
berdiri tegak seperti pilar-pilar. Landasan pilar-pilar nanokawat Si tersebut berfungsi sebagai
drain (D). Dengan mengoksidasi sebagian sekeliling pilar nanokawat Si sehingga
diperoleh oksida SiO2 dan kemudian membalut oksida tersebut dengan
gerbang (G). Di ujung atas pilar nanokawat Si tersebut berfungsi sebagai
elektroda sumber (S). Devais yang diperoleh disebut sebagai SNW VSGFET (silicon nanowire vertical surround-gate
field-effect transistor) [Goldberger, dkk.,
2006; Schmidt, dkk., 2006] seperti
diberikan oleh skematik dalam Gambar 32. Salah satu wujud devais ini telah dibuat oleh [Björk, dkk., 2007] seperti diperlihatkan dalam
Gambar 33.
Gambar 32. Skematik dari MOSFET
kanal-p konvensional (kiri) dan SNW VSGFET (silicon
nanowire vertical surround-gate field-effect transistor) [Schmidt, dkk., 2006].
Gambar 33. Contoh sebuah SNW VSGFET. Nanokawat Si berdiameter 60 nm
diselubungi oleh SiO2 setebal 25 nm (kiri). Nanokawat Si/selubung
SiO2 yang dibungkus dengan gerbang Al (tengah). Skematik SNW VSGFET
dengan panjang gerbang LG (kanan) [BjÓ§rk, dkk., 2007].
5.2. Rekayasa Material Kanal Transistor nanoMOS
Selain dengan melakukan rekayasa
geometrinya, usaha-usaha yang dilakukan untuk menanggulangi masalah
miniaturisasi transistor nanoMOS tersebut dan sekaligus meningkatkan
kecepatannya adalah dengan memadukan rekayasa geometri transistor nanoMOS dan
material kanalnya. Sebelumnya telah ditunjukkan devais geometri baru berbasis
silikon seperti SNWFET dengan nanokawat Si horizontal dan SNW VSGFET yang
menggunakan nanokawat Si vertikal. Artinya, nanokawat semikonduktor selain Si
dapat digunakan. Beberapa material yang sudah terbukti dapat meningkatkan
kecepatan devais, karena mobilitas material tersebut tinggi, adalah SiGe dan
semikonduktor III-V seperti GaN, GaP, GaAs, InN, InP, dan InAs.
Gambar 34. NWFET dengan nanokawat kulit/inti
Si/Ge. (a) Skematik nanokawat kulit/inti Si/Ge. (b) Diagram penampang
lintang nanokawat yang menunjukkan
profil potensialnya (c) Skematik devais NWFET. (d) Citra SEM tampak atas devais
NWFET dengan gerbang (G) bertumpang tindih dengan elektroda sumber (S)/drain
(D). Panjang batang skala adalah 500 nanometer. (e) Citra TEM dari penampang
lintang devais NW FET dengan ZrO2 7 nanometer. Garis-garis titik
adalah panduan bagi mata yang menunjukkan batas antara dua material. Panjang
batang skala adalah 10 nanometer [Xiang, dkk.,
2006].
Devais NWFET dengan nanokawat yang
terdiri dari kulit Si dan inti Ge, disingkat kulit/inti Si/Ge, telah
direalisasikan dalam eksperimen [Xiang, dkk.,
2006]. Nanokawat Si/Ge seperti ditunjukkan dalam Gambar 34.(a) dibuat untuk membentuk gas lubang (hole) di dalam sumur kuantum inti Ge
yang dikurung oleh kulit Si (Gambar 34.(b)). Gambar 34.(c) memberikan diagram skematik NWFET
dengan elektroda sumber dan drain dari logam Ni serta gerbang Au. Kanalnya
terbuat dari nanokawat Si/Ge dan oksidanya adalah ZrO2. Tampak atas
devais tersebut diperoleh dengan SEM seperti diperlihatkan dalam Gambar 34.(d). Gerbang (G) bertumpang tindih dengan elektroda
sumber (S) dan drain (D). Nanokawat Si/Ge terlihat melintang dari elektroda S
ke D. Gambar 34.(e) memberikan citra TEM dari penampang
lintang devais tersebut. Dengan menggunakan batang skala yang panjangnya 10 nm, terlihat bahwa nanokawat Si/Ge dalam devais NWFET
tersebut memiliki diameter sekira 15 nm. Nanokawat dengan material campuran Si dan Ge (paduan SiGe) juga telah digunakan
sebagai kanal dalam NWFET [Fang, dkk.,
2007; Jiang, dkk., 2008; Qi, dkk., 2008].
Dari rekayasa geometri kanal, yang semula planar kemudian
menjadi kawat, dan juga rekayasa material kanal, yang semula silikon (Si)
menjadi silikon-germanium (SiGe) atau GaN atau InAs, maka inovasi-inovasi model
arus terobosan yang telah diberikan sebelumnya sanagt mungkin untuk diterapkan
pada NWFET. Kami sedang bekerja ke arah ini agar tetap dapat berkontribusi
global dari darma penelitian meskipun dari Indonesia yang masih memiliki banyak
keterbatasan.
Pembuatan kit-kit atau modul-modul praktikum masih tetap dilanjutkan sebagai bagian dari pelaksanaan darma pendidikan. Pembuatan alat-alat karakterisasi dan alat-alat ukur murah dan baik yang dapat membantu para peneliti di Indonesia masih akan tetap dilakukan sebagai bagian dari pelaksanaan darma pengabdian kepada masyarakat. Diseminasi inovasi dari adanya kit-kit dan alat-alat karakterisasi tersebut melalui jurnal-jurnal internasional juga tetap berlanjut.
Pembuatan kit-kit atau modul-modul praktikum masih tetap dilanjutkan sebagai bagian dari pelaksanaan darma pendidikan. Pembuatan alat-alat karakterisasi dan alat-alat ukur murah dan baik yang dapat membantu para peneliti di Indonesia masih akan tetap dilakukan sebagai bagian dari pelaksanaan darma pengabdian kepada masyarakat. Diseminasi inovasi dari adanya kit-kit dan alat-alat karakterisasi tersebut melalui jurnal-jurnal internasional juga tetap berlanjut.
UCAPAN TERIMA KASIH
Penulis
mengucapkan terima kasih kepada kolega di KK Fisika Material Elektronik, FMIPA,
ITB khususnya alm. Prof. Sukirno, Prof. Mikrajuddin Abdullah, dan Dr. Maman
Budiman atas kerja sama yang begitu baik dalam rangka melaksanakan Tri Darma
Perguruan Tinggi secara paripurna. Ucapan terima kasih juga disampaikan kepada
seluruh mahasiswa kami khususnya Dr. Darsikin (Universitas Tadulako, Palu), Dr.
Iis Nurhasanah (Universitas Diponegoro, Semarang), Dr. Lilik Hasanah
(Universitas Pendidikan Indonesia, Bandung), Dr. Fatimah A. Noor (Institut
Teknologi Bandung), Dr. Muhammad M. Munir (Institut Teknologi Bandung), Dr.
Adibagus Suryamas (Universitas Hiroshima, Jepang), Indra W. Fathona, M.Si.
(Universitas Hiroshima, Jepang), Eko Widiatmoko, M.Si. (wiraswasta), dan Arif
Surachman, M.Si. (wiraswasta), yang telah bekerja keras bahu-membahu untuk
berkontribusi lokal maupun global. Akhirnya, tak lupa penghargaan yang
setinggi-tingginya kepada Prof. Emeritus M. Barmawi (Institut Teknologi
Bandung) yang telah menunjukkan kepada kami lapangan riset di bidang frontier, Prof. Emeritus M. Hirose (Jepang)
yang telah banyak berperan membentuk karakter sebagai peneliti yang pantang
menyerah dan putus asa, Prof. Seiichi Miyazaki (sebelumnya di Universitas Hiroshima
dan sekarang di Universitas Nagoya, Jepang) dan Prof. Kikuo Okuyama (Universitas
Hiroshima) yang terus melakukan kolaborasi riset dengan kami.
DAFTAR PUSTAKA
[Acharya, 2000] Y. B. Acharya, “A Wide Range Linear Electrometer”,Review of
Scientific Instruments, Vol. 71 (2000), hh. 2585-2588.
[Agilent, 2009] Agilent Technologies, Inc. (2009). “Agilent 4155C
Semiconductor Parameter Analyzer Data Sheet”.
[Baccarani, dkk., 1984] G. Baccarani, M. R. Wordeman, dan R. H. Dennard,
“Generalized Scaling Theory and Its Application to a ¼ Micrometer MOSFET
Design”, IEEE Transactions Electron Devices, Vol. 31 (1984), hh. 452-462.
[Bardeen,
1961] J. Bardeen, “Tunnelling from a Many-Particle Point of View”, Physical
Reviews Letters, Vol. 6 (1961), hh. 57-59.
[Bechhoefer, 2005] J. Bechhoefer, Feedback for Physicists: A Tutorial Essay
on Control, Review of Modern Physics, Vol. 77 (2005), hh. , 783–836.
[Björk, dkk., 2007] M. T. Björk, O. Hayden, H.
Schmid, H. Riel, dan W. Riess, “Vertical Surround Gated Silicon Nanowire Impact
Ionization Field-effect Transistors”, Applied Physics Letters, Vol. 90 (2007),
hh. 142110-1/3.
[Chowdry & Misra, 2007] N. A. Chowdhury & D.
Misra, “Charge Trapping at Deep States in Hf–Silicate Based High-k Gate
Dielectrics”, Journal of Electrochemical Society, Vol. 154 (2007), hh. G30-G37.
[Chui, dkk., 2006] C. O. Chui, F. Ito, dan K. C.
Saraswat, “Nanoscale Germanium MOS Dielectrics – Part I: Germanium Oxynitrides”,
IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. 53 (2006), hh. 1501-1508.
[Copel, dkk.,
2000] M. Copel, M. Gribelyuk, dan E. Gusev, “Structure and Stability of
Ultrathin Zirconium Oxide Layers on Si(001)”, Applied Physics Letters, Vol. 76 (2000), hh. 436-438.
[Cui, dkk., 2003]
Y. Cui, Z. Zhong, D. Wang, W. U. Wang, and C. M. Lieber, “High Performance
Silicon Nanowire Field Effect Transistors”, Nano Letters, Vol. 3 (2003), hh.
149-152.
[Darsikin, dkk.,
2004] Darsikin, Khairurrijal, Sukirno, dan M. Barmawi, “Pengaruh Doping Mn
Terhadap Karakteristik Kebocoran Arus Film Tipis SrTiO3”, Seminar
MIPA IV (Bandung, 6-7 Oktober 2004),
hh. 61-63.
[Darsikin, dkk.,
2005a] Darsikin, Khairurrijal, Sukirno, dan M. Barmawi, “Sifat Listrik Film
Tipis SrTiO3 untuk Kapasitor MOS”, Jurnal Matematika & Sains,
Vol. 10 (2005), hh. 87-91.
[Darsikin, dkk., 2005b] Darsikin, I.Nurhasanah,
Khairurrijal, Sukirno, dan M. Barmawi, “Electronic Conduction Mechanisms in
SrTiO3 Thin Films for Metal-Oxide-Semiconductor (MOS) Capacitors”, International
Conference on Instrumentation, Communication, and Information Technology
(ICICI) 2005 (Bandung, 3-5 August 2005), h. 769.
[Davari, dkk.,
1995] B. Davari, R. H. Dennard, dan C. G. Shahidi, “CMOS Scaling for High
Performance and Low Power—the Next Ten Years”, Proceedings of IEEE, Vol. 83 (1995), hh. 595–606.
[Duan, dkk., 2003] X. Duan, C. Niu, V. Sahi, J.
Chen, J. W. Parce, S. Empedocles, and J. L. Goldman, “High-performance
Thin-film Transistors Using Semiconductor Nanowires and Nanoribbons”, Nature,
Vol. 425(6955) (2003), hh. 274-278.
[EE Times, 2011]
http://www.eetimes.com/electronics-news/4215751/PC-processor-market-up-17-6--in-2011--says-IDC#
(Situs diakses 6 Mei 2011).
[Evangelou, dkk., 2007] E. K. Evangelou, G. Mavrou, A.
Dimoulas, dan N. Konofaos, “Rare Earth Oxides as High-k Dielectrics for Ge
Based MOS Devices: An Electrical Study of Pt/Gd2O3/Ge
Capacitors”, Solid State Electronics, Vol. 51 (2007), hh. 164-169.
[Eweek Europe, 2011]
http://www.eweekeurope.co.uk/news/idc-sees-slowing-growth-of-pc-processor-shipments-22081
(Situs diakses 6 Mei 2011).
[Fang, dkk., 2007] W. W. Fang,
N. Singh, L. K. Bera, H. S. Nguyen, S. C. Rustagi, G. Q. Lo, N.
Balasubramanian, dan D.-L. Kwong, “Vertically Stacked SiGe Nanowire Array
Channel CMOS Transistors”, IEEE Electron Device Letters, Vol. 28(3) (2007), hh.
211-213.
[Ferrari, dkk.,
2007] G. Ferrari, J. R. Watling, S. Roy, J. R. Barker, dan A. Asenov, “Beyond
SiO2 Technology: Simulation of the Impact of High-k Dielectrics on
Mobility”, Journal of Non-Crystalline Solids, Vol. 353 (2007), hh. 630-634.
[Festo, 2011] Festo Didactic Home Page. Laman: http://www.festo-didactic.com/int-en/
(Situs diakses 6 Agustus 2011).
[Fluke, 1992] Fluke Corp. (1992), “5100B Series
Calibrator Instruction Manual”.
[Frank, dkk.,
2001] D. J. Frank, R. H. Dennard, E. Nowak, P. M. Solomon, Y. Taur, dan H.-S.
P. Wong, ”Device Scaling Limits of Si MOSFETs and Their Application
Dependencies”, Proceedings of IEEE, Vol. 89 (2001), hh. 259–288.
[Frank & Taur, 2002] D. J. Frank dan Y. Taur, “Design
Considerations for CMOS Near the Limits of Scaling”, Solid State Electronics,
Vol. 46 (2002), hh. 315–320.
[Goldberger, dkk., 2006] J.
Goldberger, A. I. Hochbaum, R. Fan, dan P. Yang, “Silicon Vertically Integrated
Nanowire Field Effect Transistors”, Nano Letters, Vol. 6(5) (2006), hh.973-977.
[Green, dkk.,
2001] M. L. Green, E. P. Gusev, R. Degraeve, dan E. Garfunkel, “Ultrathin
(<4 nm) SiO2 and Si-O-N Gate Dielectric Layers for Silicon Microelectronics: Understanding the
Processing, Structure, and Physical and Electrical Limits”, Journal of Applied
Physics, Vol. 90 (2001), hh. 2057-2121.
[Gusev, dkk.,
2003] E. P. Gusev, C. Cabral Jr, M. Copel, C. D. Emic, dan M. Gribelyuk,
“Ultrathin HfO2 Films Grown on Silicon by Atomic Layer Deposition for Advanced
Gate Dielectrics Applications”, Microelectronic Engineering, Vol. 69 (2003),
hh. 145-151.
[Hamida, dkk.,
2006] M. Hamida, Khairurrijal, dan Mikrajuddin, “Dinamika Paket Gelombang
Elektron yang Menerobos Penghalang Trapesium dengan Ketebalan Nanometer”,
Jurnal Matematika & Sains, Vol. 11 (2006), hh.65-69.
[Harrison, 1961] W. A. Harrison, “Tunneling from an
Independent-Particle Point of View”, Physical Reviews, Vol. 123 (1961), hh.
85-89.
[Hori, 1997] T. Hori, Gate
Dielectrics and MOS ULSIs: Principles, Technologies, and Applications (New
York, Springer, 1997), hh. 105-134.
[Ieong, dkk., 2004] M. Ieong, B.
Doris, J. Kedzierski, K. Rim, dan M. Yang, “Silicon Device Scaling to the
Sub-10-nm Regime”, Science, Vol. 306 (2004), hh. 2057-2060.
[Intel, 2011]
[ITRS, 2009]
International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS) – 2009 Edition.
Situs:
http://www.itrs.net/links/2009ITRS/Home2009.htm
[Jiang, dkk.,
2008] Y. Jiang, N. Singh, T. Y. Liow, W. Y. Loh, S. Balakumar, K. M. Hoe, C. H.
Tung, V. Bliznetsov, S. C. Rustagi, G. Q.
Lo, D. S. H. Chan, dan D. L. Kwong, “Ge-Rich (70%) SiGe
Nanowire MOSFET Fabricated Using Pattern-Dependent Ge-Condensation Technique”,
IEEE Electron Device Letters, Vol. 29(6) (2008), hh. 595-598.
[Keithley, 1984] Keithley Instruments (1984), “Model 617
Programmable Electrometer User Manual”, Keithley Instruments Inc, Ohio.
[Khairurrijal, dkk.,
2000a] Khairurrijal, W. Mizubayashi, S. Miyazaki, dan M. Hirose, “Analytic
Model of Direct Tunnel Current through Ultrathin Gate Oxides”, Journal of Applied Physics, Vol. 87
(2000), hh. 3000-3005.
[Khairurrijal, dkk.,
2000b] Khairurrijal, W. Mizubayashi, S. Miyazaki, dan M. Hirose, “Unified
Analytic Model of Direct and Fowler-Nordheim Tunnel Currents through Ultrathin
Gate Oxides”, Applied Physics Letters,
Vol. 77 (2000), hh. 3580-3582.
[Khairurrijal, dkk.,
2004] Khairurrijal, Darsikin, dan M. Budiman, “Kapasitor MOS dengan Dielektrik
Ceria Amorf”, Jurnal Matematika & Sains, Vol. 9 (2004), hh. 269-272.
[Khairurrijal, dkk.,
2005] Khairurrijal, F. A. Noor, dan Sukirno, “Electron Direct Tunneling Time in
Heterostructures with Nanometer-Thick Trapezoidal Barriers”, Solid State
Electronics, Vol. 49 (2005), hh. 923-927.
[Khairurrijal, dkk.,
2006] Khairurrijal, M. Abdullah, M. M. Munir, A. Surachman, dan A. Suhendi,
“Low Cost and User-friendly Electronic Components Characterization System for
Undergraduate Students”, WSEAS Transactions on Advances in Engineering
Education, Vol. 3 (2006), hh. 971-976.
[Khairurrijal, dkk.,
2007a] Khairurrijal, M. Abdullah, A.
Suhendi, M. M. Munir, dan A. Surachman, “A Simple Microcontroller-Based Current
Electrometer Made from LOG112 and C8051F006 for Measuring Current in
Metal-Oxide-Semiconductor Devices”, Measurement Science and Technology, Vol. 18 (2007), hh. 3019-3024.
[Khairurrijal, dkk.,
2007b]
Khairurrijal, M. M. Munir, A. Suhendi, H. Thaha, dan M. Budiman, “An AT89S52
Microcontroller-based Single Board Computer for Teaching an Instrumentation
System Course”, Computer Applications in Engineering Education, Vol. 15 (2007),
166-173.
[Khairurrijal, dkk.,
2008] Khairurrijal, F. A. Noor, M. Abdullah, Sukirno, dan S. Miyazaki, “Model
of Tunnel Current through High-K Dielectric Stack in MOS with Anisotropic
Masses and Parallel-Perpendicular Kinetic Energy Coupling”, IUMRS International
Conference in Asia 2008 (IUMRS-ICA 2008)
(Nagoya, 9-13 Desember 2008) [Makalah Undangan].
[Khairurrijal, dkk., 2009]
Khairurrijal, F. A. Noor, M. Abdullah,
Sukirno, dan S. Miyazaki,
“Theoretical Study on Leakage Current in MOS with High-k Dielectric Stack:
Effects on In-Plane-Longitudinal Kinetic Energy Coupling and Anisotropic
Masses”, Transactions of Materials Research Society of Japan, Vol. 34 (2009),
hh. 291-293.
[Khairurrijal, dkk., 2011]
Khairurrijal, M. Abdullah, dan M. Budiman, “Home-Made PIC 16F877
Microcontroller-Based Temperature Control System for Learning Automatic
Control”, Computer Applications in Engineering Education, Vol. 19(1) (2011),
hh. 10-17.
[Khairurrijal, dkk., 2012] Khairurrijal, F. A. Noor, dan M. Abdullah, “Modeling Leakage Current in an Advanced MOS with High-k Dielectric Stack by Considering Anisotropic Masses and Parallel-Perpendicular Kinetic
Energy Coupling”, 2nd International Conference on Computation for Science and
Technology (Nigde, Turkey, 9-11 July 2012) [Makalah Undangan].
[Kim, dkk., 2005] M–S.Kim, Y–D.
Ko, M. Yun, J-H. Hong, M-C. Jeong, J-M. Myoung, dan I.Yun, “Characterization
and Process Effects of HfO2 Thin Film Grown by Metal-Organic
Molecular Beam Epitaxy”, Materials Science and Engineering B, Vol. 123 (2005),
hh. 20-30.
[Leybold, 2011] Leybold Didactic Home Page. Laman: www.leybold-didactic.de/data_e/index.html (Situs diakses 6 Agustus 2011).
[Lu dan Lieber, 2006] W. Lu dan C. M. Lieber, “Semiconductor Nanowires”,
Journal of Physics D: Applied Physics, Vol. 39 (2006), hh. R387–R406.
[Microsemi, 2011] Microsemi Corp., 1N5913B thru 1N5956B Silicon 1.5 Watt
Zener Diodes Datasheet.
[Mizubayashi, dkk.,
2004] W. Mizubayashi, N. Yasuda, H. Hisamatsu, K. Iwamoto, K. Tominaga, K.
Yamamoto, H. Ota, T. Horikawa, T. Nabatame, dan A. Toriumi, “Effect of the
Interfacial SiO2 Layer Thickness on the Dominant Carrier Type in Leakage
Currents through HfAlOx∕SiO2 Gate Dielectric Films”, Applied Physics Letters,
Vol. 85 (2004), hh. 6227-6229.
[Moore, 1965] G. Moore, “Cramming More Components onto Integrated
Circuits”, Electronics, Vol. 38(8), (April 19, 1965).
[Muller, dkk.,
1999] D. A. Muller, T. Sorsch, S. Moccio, F. H. Baumann, K. Evans-Lutterodt,
and G. Timp, “The Electronic Structure at the Atomic Scale of Ultrathin Gate
Oxides”, Nature, Vol. 399 (1999), hh. 758-761.
[Nagano, dkk., 1994] S. Nagano,
M. Tsukiji, E. Hasegawa, and A. Ishitani, "Mechanism of Leakage Current
Through the Nanoscale SiO2 Layer", Journal of Applied Physics, Vol. 75(7)
(1994), hh. 3530-3535.
[Noor, dkk.,
2007] F. A. Noor, M. Abdullah, Sukirno, dan Khairurrijal, “Comparison of
Electron Direct Tunneling Time in a Heterostructure with a Nanometer-Thick
Trapezoidal Barrier Calculated Using Exponential and Airy Wavefunctions”,
Indonesian Journal of Physics, Vol. 18 (2007), hh. 1-4.
[Noor, dkk.,
2010a] F. A. Noor, M. Abdullah,
Sukirno, Khairurrijal, A. Ohta, dan S. Miyazaki, “Electron and Hole Components
of Tunneling Currents through an Interfacial Oxide-High-k Gate Stack in
Metal-Oxide-Semiconductor Capacitors”, Journal of Applied Physics, Vol. 108(9)
(2010), hh. 093711-1 – 093711-5.
[Noor, dkk.,
2010b] F. A. Noor, M. Abdullah, Sukirno, dan Khairurrijal,
“Comparison of Electron Transmittances and Tunneling Currents in an Anisotropic
TiNx/HfO2/SiO2/p-Si(100) Metal-Oxide-Semiconductor (MOS) Capacitor Calculated
Using Exponential- and Airy-Wavefunction Approaches and a Transfer Matrix
Method”, Journal of Semiconductors, Vol. 31, No. 12 (2010), hh. 124002-1 –
124002-5.
[Noor, dkk.,
2010c] F. A. Noor, M. Abdullah,
Sukirno, dan Khairurrijal, “Analysis of Electron Direct Tunneling Current
through Very-Thin Gate Oxides in MOS Capacitors with the Parallel-Perpendicular
Kinetic Energy Components and Anisotropic Masses”, Brazilian Journal of
Physics, Vol. 40(4) (2010), hh. 404 – 407.
[Nurhasanah, dkk.,
2005] I. Nurhasanah, Darsikin, Khairurrijal, M. Budiman dan Sukirno,
“Structural and Electrical Characteristics of Al/CeO2/Si Structures
Fabricated by Using Pulsed-Laser Ablation Deposition Technique”, International
Conference on Instrumentation, Communication, and Information Technology
(ICICI) 2005 (Bandung, 3-5 Agustus 2005), hh. 459-462.
[Nurhasanah, dkk.,
2006a] I. Nurhasanah, Khairurrijal, M. Abdullah, B. Ariwahjoedi, M. Budiman,
dan Sukirno, “Karakteristik Arus Film Tipis CeO2 dan Nd-CeO2
yang Dideposisikan di atas Substrat Si(100) Menggunakan Teknik Pulsed-Laser
Ablation Deposition (PLAD)”, Jurnal Sains Materi Indonesia, Edisi Khusus
(Oktober 2006), hh. 250-253.
[Nurhasanah, dkk.,
2006b] I. Nurhasanah, Khairurrijal, M. Abdullah, B. Ariwahjoedi, M. Budiman,
dan Sukirno, “Deposisi Film Tipis Ceria Didadah Nd Menggunakan Teknik
Pulsed-Laser Ablation Deposition (PLAD)”, Jurnal Sains dan Teknologi Nuklir
Indonesia, Vol. 7 (2006), hh. 123-130.
[Qi, dkk., 2008] C. Qi, Y.
Rangineni, G. Goncher, R. Solanki, K. Langworthy, J. Jordan, “SiGe Nanowire
Field Effect Transistors”, Journal of Nanoscience and Nanotechnology, Vol. 8(1)
(2008), hh. 457-460.
[Radiant, 2011] Radiant Technologies, Inc. http://www.ferrodevices.com/1/297/index.asp
(Diakses 8 Agustus 2011).
[Rahmawati, dkk.,
2009] E. Rahmawati, R. Ekawita, M. Abdullah, dan Khairurrijal, “Low Cost C-V
Meter Based on C8051F006 SoC for Characterizing Electronic Materials”, 3rd
Asian Physics Symposium (APS 2009) (Bandung, 22 - 23 July 2009), hh. 311-315.
[Rickel, 1989] J. W. Rickel, “Intelligent Computer-aided
Instruction: A Survey Organized around System Components”, IEEE Transactions on
Systems, Man & Cybernetics, Vol. 19 (1989), hh. 40-57.
[Schenk & Heiser, 1997] A. Schenk & G. Heiser, “Modeling and
Simulation of Tunneling through Ultra-thin Gate Dielectrics”, Journal of
Applied Physics, Vol. 81 (1997), hh. 7900-7998.
[Schmidt, dkk. 2006] V. Schmidt,
H. Riel, S. Senz, S. Karg, W. Riess, dan U. Gösele, “Realization of a Silicon
Nanowire Vertical Surround-Gate Field-Effect Transistor”, Small, Vol. 2(1)
(2006), hh. 85-88.
[Schroder, 1990] D. K. Schroder, “Semiconductor Material
and Device Characterization”, John Wiley & Sons, Canada, 1990.
[Schulz, 1999] M. Schulz, “The End of the Road for
Silicon?”, Nature, Vol. 399 (1999), hh. 729-730.
[Sze, 1981] S. M. Sze, “Physics of Semiconductor Devices”,
2nd Edition, John Wiley & Sons, Canada, 1981.
[Service, 2009] R. F. Service, “Is Silicon’s Reign Nearing
Its End?”, Science, Vol. 323 (2009), hh. 1000-1002.
[Taur, dkk.,
1997] Y. Taur, D. A. Buchanan, W. Chen, D. J. Frank, K. E. Ismail, S.-H. Lo, G.
A. Sai-Halasz, R. G. Viswanathan, H. C. Wann, S. J. Wind, dan H.-S. P. Wong,
“CMOS Scaling into the Nanometer Regime”, Proceedings of IEEE, Vol. 85 (1997),
hh. 486–504.
[Vexler, dkk.,
2009] M. I. Vexler, A. Kuligk, dan B. Meinerzhagen," Simulation of Hole
and Electron Tunnel Currents in MIS Devices Adopting the Symmetric Franz-type
Dispersion Relation for the Charged Carriers in Thin Insulators "
Solid-State Electronics, Vol. 53 (2009), hh. 364-370.
[Vishay, 2004] Vishay Siliconix, (2004) “TP0610L/T,
VP0610L/T, BS250 P-Channel 60-V (D-S) MOSFET Data Sheet”.
[Weinberg, 1982] Z. A. Weinberg, “On Tunneling in
Metal-Oxide-Silicon Structures”, Journal of Applied Physics, Vol. 53 (1982),
hh. 5052-5056.
[Widiatmoko, dkk.,
2011] E. Widiatmoko, Widayani, M. Budiman, M. Abdullah, dan Khairurrijal, “A
Simple Spectrophotometer Using Common Materials and a Digital Camera”, Physics
Education, Vol. 46(3) (2011), hh. 332-339.
[Wilk, dkk.,
2001] G. D. Wilk, R. M. Wallace, and J. M. Anthony, “High-k Gate Dielectrics:
Current Status and Materials Properties Considerations”, Journal of Applied
Physics, Vol. 89 (2001), hh. 5243-5275.
[Wind, dkk.,
1996] S. J. Wind, D. J. Frank, dan H.-S. Wong, “Scaling Silicon MOS Devices to
Their Limits”, Microelectronic Engineering, Vol. 32 (1996), hh. 271–282.
[Wong, dkk.,
1999] H.-S. P. Wong, D. J. Frank, P. M. Solomon, C. H. J. Wann, dan J. J.
Welser, “Nanoscale CMOS”, Proceedings of IEEE, Vol. 87 (1999), hh. 537–570.
[Won-Top, 2002] Won-Top
Electronics, “1N4001-1N4007 1.0 A Silicon Rectifiers Datasheet”, (2002).
[Xiang, dkk., 2006] J. Xiang, W.
Lu, Y. Hu, Y. Wu, H. Yan, dan C. M. Lieber, “Ge/Si Nanowire Heterostructures as
High-performance Field-effect Transistors”, Nature, Vol. 441(7092) (2006), hh.
489–493.
[Yoshida, dkk., 1995] T. Yoshida,
D. Imafuku, J. L. Alay, S. Miyazaki and M. Hirose, "Quantitative Analysis
of Tunneling Current through Ultrathin Gate Oxides", Japanese Journal of
Applied Physics, Vol. 34(2B) (1995), hh. L903-L906.
Tidak ada komentar:
Posting Komentar